(资料图)
1、 MOS（金属-氧化物-半导体）场效应管，简称MOS管（或器件），其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起组成的。在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。描述NMOS器件在三个区域中性能的理想表达式即为萨氏方程。
本文关于萨氏方程的简介就讲解完毕，希望对大家有所帮助。
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